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(回答先: 東芝、線幅１５ナノ、100ギガビット級フラッシュメモリー実現へ基本素子試作 「ＩＴ＋ＰＬＵＳ」 投稿者 怪傑 日時 2008 年 2 月 23 日 13:17:58)
【ソウル＝鈴木壮太郎】韓国のサムスン電子は23日、回路線幅が30ナノ（ナノは10億分の1）メートルと世界最先端の微細加工技術を採用したフ ラッシュメモリーを開発したと発表した。記憶容量は64ギガ（ギガは10億）ビットと世界最大で、2009年に量産を開始する。東芝も同年に30ナノ台の 技術での量産に着手する方針で、世界2強の競争がさらに激化する。
対象はＮＡＮＤ型と呼ばれるメモリー。携帯音楽プレーヤーやメモリーカードに使い容量を増やしやすい。
半導体回路の微細化を進めるとチップのサイズが小さくなるため1枚のウエハーから取れるメモリーの数が増え、生産コストが大幅に下がる利点がある。
サムスンは新技術の開発で、20ナノ台技術にもめどをつけたと説明している。(23:01)
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